[online]반도체 소자 분리기술로 `STI 공정` 각광
페이지 정보
작성일 23-03-29 22:51
본문
Download : 20060224.jpg
특허청 관계자는 “소자 분리 영역 축소는 반도체 소자의 고집적화·미세화를 결정하는 중요한 기술”이라며 “앞으로도 소자 분리기술에 대한 연구가 활발히 이뤄질 전망”이라고 말했다.
대전=신선미기자@전자신문, smshin@
반도체 소자 분리기술 중 하나인 트렌치 소자 분리(STI) 공정 관련 기술 개발이 활발한 것으로 나타났다.
출요인별로는 하이닉스(987건), 동부아남(357건), 삼성전자(202건), 매그나칩(151건) 4개 기업의 출원이 전체의 84.6%를 기록했다.
반도체 소자 분리기술로 `STI 공정` 각광
Download : 20060224.jpg( 51 )
STI 공정은 기존 로코스 공정에 비해 소자 분리 特性이 우수하고 점유 면적도 작아 반도체 소자의 고집적화에 적합한 기술로 각광받고 있다
레포트 > 기타
다.
반도체 소자 분리기술로 `STI 공정` 각광
설명
반도체 소자 분리기술에는 반도체 기판상에 산화막을 선택적으로 성장시켜 소자 분리막을 형성시키는 로코스 공정과 반도체 기판에 트렌치를 형성한 후 내부를 절연막으로 매립해 소자분리막을 형성하는 STI 공정 두 가지가 있다
반도체 소자 분리기술로 `STI 공정` 각광
특허 등록 기업으로는 하이닉스가 421건으로 가장 많았고 삼성전자(153건), 동부아남(148건), 미쓰비시(43건) 순이었다.
순서
반도체 소자 분리기술로 `STI 공정` 각광
23일 특허청에 따르면 지난 2001년부터 2005년 6월까지 4년 6개월간 국내에 출원된 반도체 소자 분리기술 관련 특허는 총 2007건이며, 이 중 STI 공정이 전체의 90%를 차지했다.
