반도체공정 experiment(실험) - Photo Lithography
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작성일 23-04-06 02:37
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4) 감광제의 용제를 제거하고 약 100℃의 핫플레이트에서 공기나 질소 가스 분위기에서 5~10분간 soft baking을 한다.
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한 후 Si기판 위에 패턴을 형성하는 공정인 ‘Photo lithography’를 실시하며 FE-SEM을 이용하여 PR inspection을 측정한다.
(이때 감광제의 두께는 회전속도의 제곱근에 반비례한다.
측정(measurement)한다.
시료를 25~125m 정도 공간을 둔 후 2초 간 노광한다.
2) 시료를 HMDS라는 접착력을 증진시키는 물질을 사용하여 증기에 10여 분간
PR공정 결과에 어떤 영향을 주는지 확인하고자 한다.
3. 결과 및 고찰
Si기판 위에 패턴을 형성하는 공정인 ‘Photo lithography’를 실시하며 FE-SEM을 이용하여
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한 후
※ 기본적인 포토리소그래피 공정과 달리 짧은 시간동안 세 가지 변수에 대한 실험을 모두 수행해야하는 우리 실험에서는 노출 후 굽기와 강하게 굽기 과정을 drop하고 약하게 굽기 만 실시한다. 실험 과정
9) 노광시간을 5초, 10초로 하여 위의 실험을 반복한다.
순서
7) 노광이 끝난 후 시료를 TMAH 용액에 1분 30초 간 담가서 현상한다. 노출시킨다. 이번 experiment(실험)에서 PR두께는 1~2micro meter로, Developing time은
1) Cleaning 과정을 마친 시료( /Si(001))를 200℃에서 10여 분간 dehydration 시킨다.
6) 포토마스크(한쪽 면이 감광 유제나 금속막으로 패턴이 되어 있는 사각형의 유리판)와
3) 시료 위에 감광제를 뿌린 후 고속 회전하여 원하는 두께로 코팅한다.
90sec로 고정하며 Exposure time을 2, 5 10sec로 변화를 주어 노광 시간을 조정함에 따라
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다.)
나. 실험 준비물
Si wafer 시료
반도체공정 실험,Photo Lithography
5) 수 분간 시료를 대기 중에 놔둬 relaxation 시킨다. 이번 실험에서 PR두께는 1~2micro meter로, Developing time은 90sec로 고정하며 Exposure time을 2, 5 10sec로 변화를 주어 노광 시간을 조정함에 따라 PR공정 결과에 어떤 영향을 주는지 확인하고자 한다.
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설명
반도체공정 experiment(실험) - Photo Lithography
8) Photo lithography 공정이 끝난 시료는 광학현미경을 통하여 PR 두께 變化를
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다.
PR inspection을 측정(測定) 한다.
