MOS 전계효율 transistor
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작성일 23-10-17 06:29
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p채널의 경우는 그림의 VG의 극성을 바꾸면 된다
4. 단채널 결과
채널 길이가 짧게 되면 다음과 같은 원인(原因) 때문에 동작 特性(특성)에서 멀어진 特性(특성)이 나타난다.
채널길이가 감소해 소스 및 드레인 접합의 공핍층의 넓이가 채널길이가 같은 정도로 된다 이 경우 채널 내의 전위 분포는 게이트 전압에 의한 가로 방향 전계 및 드레인 전압에 의한 세로 방향 전계에 의존하여 2차원으로 된다 이 전위의 2차원 분포는 드레인 전류나 문턱 전압에 influence(영향)을 준다.
MOS 전계효과 트랜지스터에 대해 조사한 자료입니다. 이것에 관련되어 절연물-반도체의 경계에 있는 계면 상태 등에 의해서 반도체 표면의 에너지대가 만곡되어 게이트 전압을 인가하지 않아도 반전이 일어나 채널이 형성되어 있는 경우가 있다 이것을 공핍형(depletion type)이라 한다. 또 펀치쓰루 결과 때문에 전류 포화가 일어나지 않게 된다
전계가 증가하면 채널내의 캐리어의 이동도는 전계 의존성을 나타내 소위 핫 캐리어(hot carrier)로…(skip)
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MOS 전계효율 transistor에 대해 조사한 자료(data)입니다.MOS 전계효율 transistor
레포트/공학기술
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3. 증가형과 공핍형
게이트 전압을 인가해서 채널이 형성된 MOS 트랜지스터를 증가형(enhancement type)이라 한다.MOS전계효과트랜지스터 , MOS 전계효과 트랜지스터공학기술레포트 ,
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다.
n채널 MOS 트랜지스터의 증가형과 공핍형의 ID-VG 特性(특성)과 함께 ID-VD 特性(특성)을 그림에 나타낸다.
